MOSFET有三個(gè)電極，源極、柵極和漏極，簡(jiǎn)化模型如下圖：MOS失效的原因雪崩失效(電壓失效) 雪崩失效（電壓型失效）當(dāng) MOSFET 漏源極之間施加的電壓超過器件額定漏源擊穿電壓 BVdss，且超出幅度達(dá)到臨界閾值時(shí)&…

文章：Omni-Referring Image Segmentation代碼：https://github.com/As-Time-Goes-By/OmniSegNet單位：廈門大學(xué)一、問題背景現(xiàn)有圖像分割任務(wù)主要分為兩類：一類是基于文本提示的RIS（Referring Image Segmentation&#x…

Dify中自定義評(píng)分函數(shù)開發(fā)：用于模型輸出質(zhì)量評(píng)估 在構(gòu)建基于大語言模型（LLM）的應(yīng)用時(shí)，一個(gè)常被忽視但至關(guān)重要的問題浮出水面：我們?nèi)绾闻袛嗄Ｐ偷幕卮稹皦虿粔蚝谩?amp;#xff1f; 對(duì)于智能客服來說，一句模糊的…

從零開始玩轉(zhuǎn) Elasticsearch：一次真實(shí)的官網(wǎng)實(shí)戰(zhàn)演練 你有沒有遇到過這種情況——想學(xué)一個(gè)新技術(shù)，文檔看了一堆，概念背得滾瓜爛熟，可一上手寫代碼就卡殼？尤其是像 Elasticsearch 這種分布式系統(tǒng)，術(shù)語多、…

過電壓損傷通常是“擊穿性”的，而過電流損傷通常是“熔斷性”的。以下是詳細(xì)的判斷方法和步驟： 第一步：視覺 inspection 首先用放大鏡或顯微鏡仔細(xì)觀察MOS管的外觀和芯片內(nèi)部（如果可能的話）。 簡(jiǎn)單比喻：…

創(chuàng)建截面線是逆向建模中獲取模型輪廓、創(chuàng)建曲線的關(guān)鍵第一步。 核心思路： 用一個(gè)基準(zhǔn)平面去“切割”點(diǎn)云，軟件會(huì)自動(dòng)計(jì)算出該平面與點(diǎn)云表面相交的線。中望3D創(chuàng)建點(diǎn)云截面線詳細(xì)步驟: 1.創(chuàng)建基準(zhǔn)平面中望3D可以在點(diǎn)云——截面線，實(shí)時(shí)創(chuàng)建基準(zhǔn)…

Dify如何實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)參數(shù)傳遞？運(yùn)行時(shí)變量注入技巧 在構(gòu)建AI應(yīng)用的實(shí)踐中，一個(gè)常見的挑戰(zhàn)是：如何讓同一個(gè)模型節(jié)點(diǎn)靈活應(yīng)對(duì)不同的用戶輸入、上下文狀態(tài)和業(yè)務(wù)規(guī)則，而無需每次修改代碼或重新部署？尤其是在智能客服、個(gè)性化推…

Dify中知識(shí)庫權(quán)限分級(jí)管理：不同用戶查看不同內(nèi)容 在企業(yè)級(jí)AI應(yīng)用日益普及的今天，一個(gè)看似簡(jiǎn)單卻極為關(guān)鍵的問題逐漸浮現(xiàn)：如何讓不同身份的員工，在使用同一個(gè)智能問答系統(tǒng)時(shí)，看到的內(nèi)容各不相同？ 設(shè)想這樣一…